[20p-E204-1~11] 3.13 Semiconductor optical devices

[20p-E204-10] Effects of annealing on InGaP/ITO interfaces

〇(M1)Moritake Sakihara¹, Jianbo Liang¹, Naoteru Shigekawa¹ (1.Osaka City Univ.)

Keywords:semiconductor, solar cell

表面活性化接合(SAB)法を用いて作製したInGaP/GaAs//ITO/Si３接合太陽電池では、その接合界面抵抗は熱処理による界面の酸化により増加するため、GaAs//ITO界面に比べ酸化が抑制される構造が求められた。本研究では、GaAsと比べ酸化耐性のあるInGaPの接合層導入を目的に、X線光電子分光(XPS)を用いて熱処理によるInGaP/ITO界面の結合状態変化を評価した。