[20p-E301-1~9] 窒化物半導体エッチング技術　〜高制御性と低損傷性を求めて〜

[20p-E301-2] 触媒表面基準エッチング法によるGaN基板の無歪研磨

〇佐野 泰久¹、有馬 健太¹、山内 和人¹ (1.阪大院工)

キーワード：窒化ガリウム、研磨、CARE