2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[20p-E303-1~14] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2019年9月20日(金) 13:45 〜 17:45 E303 (E303)

鵜殿 治彦(茨城大)、寺井 慶和(九工大)、原 康祐(山梨大)

16:45 〜 17:00

[20p-E303-11] 溶融成長したMg2Si結晶中のAg濃度と正孔濃度の評価

郷州 桂伍1、鵜殿 治彦1 (1.茨城大院)

キーワード:Mg2Si、溶融成長

溶融成長法によって成長したAg添加Mg2Si結晶中のAg濃度と正孔濃度の関係についての報告