[20p-E303-1~14] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[20p-E303-2] n-Ru₂Si3/p-Si pn 接合素子の作製と光応答特性

〇西 大樹¹、瀬戸島 健太¹、寺井 慶和¹ (1.九工大情報工)

キーワード：シリサイド半導体、ルテニウムシリサイド、pn接合

これまで我々は，マグネトロンスパッタリング法により低電子密度(~10¹⁶ cm^-3)かつ高移動度(~940 cm²/V∙s)の多結晶Ru₂Si₃ 薄膜を作製してきた．光学特性評価から，作製した薄膜は可視光領域でα > 10⁵ cm^-1の光吸収係数を示すことを明らかにした [1]．本研究では，n-Ru₂Si₃/p-Si 基板のpn接合素子を作製し，電流－電圧特性と光応答特性を評価したので報告する．