ナノサイズのパターン溝を形成したAlN上に成長した厚膜Al<sub>0.55</sub>Ga<sub>0.45</sub>N

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-E310-1~21] 15.4 III-V族窒化物結晶

2019年9月20日(金) 13:15 〜 19:00 E310 (E310)

14:15 〜 14:30

〇(M1)手良村昌平¹、櫻木勇介¹、安江信次¹、田中隼也¹、荻野雄矢¹、岩谷素顕¹、竹内哲也¹、上山智¹、岩山章^1,3、赤﨑勇²、三宅秀人³ (1.名城大　理工、2.名古屋大　赤﨑記念研究センター、3.三重大　地域イノベ)

キーワード：AlGaN、ナノパターン