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[20p-E310-8] CVD成長BN薄膜におけるB原料依存性
キーワード:窒化ホウ素、ジボラン、トリメチルボロン
六方晶窒化ホウ素(h-BN)は層状構造を有するワイドバンドギャップ半導体(∼6eV)であり、深紫外線発光素子材料、グラフェン半導体のゲート絶縁膜、GaN系半導体の剥離層等の期待がある。前回我々はCやClを原料に含まないジボラン(B2H6)を用いたh-BN薄膜のCVD成長について報告した。今回B2H6およびトリメチルボロン(TMB、(CH3)3B)を使用して同条件で成膜したh-BN薄膜の特性結果について報告する。