2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-E310-1~21] 15.4 III-V族窒化物結晶

2019年9月20日(金) 13:15 〜 19:00 E310 (E310)

岡田 成仁(山口大)、本田 善央(名大)、谷川 智之(阪大)

15:15 〜 15:30

[20p-E310-8] CVD成長BN薄膜におけるB原料依存性

山田 永1、井爪 将1,2、山田 寿一1、清水 三聡1,2 (1.産総研GaN-OIL、2.名大)

キーワード:窒化ホウ素、ジボラン、トリメチルボロン

六方晶窒化ホウ素(h-BN)は層状構造を有するワイドバンドギャップ半導体(∼6eV)であり、深紫外線発光素子材料、グラフェン半導体のゲート絶縁膜、GaN系半導体の剥離層等の期待がある。前回我々はCやClを原料に含まないジボラン(B2H6)を用いたh-BN薄膜のCVD成長について報告した。今回B2H6およびトリメチルボロン(TMB、(CH3)3B)を使用して同条件で成膜したh-BN薄膜の特性結果について報告する。