[20p-E311-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-E311-1] C面4H-SiCウェット酸化の特殊性と界面欠陥：EDMR分光からの知見

〇梅田 享英¹、鹿児山 陽平¹、富田 和輝¹、阿部 裕太¹、岡本 光央²、畠山 哲夫²、原田 信介² (1.筑波大数物、2.産総研)

キーワード：炭化ケイ素、MOS界面欠陥、電子スピン共鳴分光

電流検出電子スピン共鳴（EDMR）分光の結果から、C面4H-SiCのウェット酸化プロセスを議論する。この界面では、EDMR分光によって2種類の界面欠陥が検出され、それらはどちらも空孔型欠陥であった。すなわちC面ウェット酸化は「界面に空孔型欠陥を作る」ことが特徴と言える。さらに界面での空孔型欠陥は、界面構造や酸化プロセスとの兼ね合いで、ある限られた原子構造を取ることが分かった。