[20p-E311-1~17] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[20p-E311-15] Effects of Nitrogen Impurity Concentration on Nitrogen-Vacancy Center Formation in 4H-SiC

〇(M1)Takuma Narahara^1,2, Shinichiro Sato², Kazutoshi Kojima³, Yuichi Yamazaki², Yasuto Hijikata¹, Takeshi Ohshima² (1.Saitama Univ., 2.QST, 3.AIST)

Keywords:silicon carbide, semiconductor, nitrogen-vacancy

炭化ケイ素(SiC)中の窒素・空孔複合欠陥(NcVsi-)は、生体透過性が極めて高い1300 nm付近の発光を室温で示し、電子スピン(スピン量子数S=1)を持つことから、生命科学や医療分野における量子センシング（局所領域の高感度磁場・温度計測）への応用が期待されている。本研究では、NcVsi-密度の高濃度化を目的に不純物窒素(N)濃度の異なる4H-SiCにイオンビーム照射と熱処理を行い、N濃度がNcVsi-形成に及ぼす影響をフォトルミネッセンス(PL)測定を用いて調査した。