[20p-E311-1~17] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[20p-E311-17] Optically detected magnetic resonance of 3D arrayed silicon vacancies in SiC pn diodes

〇Yuichi Yamazaki¹, Yoji Chiba^1,2, Shin-Ichiro Sato¹, Takahiro Makino¹, Naoto Yamada¹, Takahiro Satoh¹, Yasuto Hijikata², Kazutoshi Kojima³, Hidekazu Tsuchida⁴, Norihiro Hoshino⁴, Takeshi Ohshima¹ (1.QST, 2.Saitama Univ., 3.AIST, 4.CRIEPI)

Keywords:Silicon vacancy, Quantum sensor

炭化ケイ素(SiC)を母材とする点欠陥であるシリコン空孔(Vsi)を用いた量子センサ実現に向けて、プロトンビーム描画(PBW)を用いた3 次元配列Vsiの作製およびその光学特性を評価した。プロトンエネルギーを変えることで深さ制御されたそれぞれのVsiから光検出磁場共鳴(ODMR)スペクトル(@ゼロ磁場)が得られ、量子センサとして使用可能な3 次元配列Vsi 形成に成功した。