[20p-E312-1~14] 6.2 カーボン系薄膜

[20p-E312-2] 角度分解硬X線光電子分光法によるダイヤモンド半導体表面のICPエッチングダメージ評価

〇和田 励虎¹、滝沢 耕平¹、加藤 有香子²、小倉 政彦²、牧野 俊晴²、山崎 聡²、野平 博司¹ (1.東京都市大学、2.産総研)

キーワード：ダイヤモンド、ICPエッチング、硬X線光電子分光法

ダイヤモンドデバイス作製にはICPエッチングが不可欠であり、ICPエッチングがダイヤモンドに欠陥層を生じることが明らかになっている。しかし、軟X線による光電子分光では検出深さが不十分なため、欠陥層の化学結合状態等の詳細が分かっていない。今回硬X線光電子分光法と軟X線光電子分光法の両測定方法を用いることで化学結合状態を調べた。その結果、表面から3nm以上の深さにC-H結合が存在する事が明らかになった。