[20p-N304-1~10] アトミックレイヤープロセスの最新動向

△ [20p-N304-7] Arイオン照射窒化ガリウム表面の塩素吸着層のイオンエネルギー依存性

〇長谷川 将希¹、堤 隆嘉²、近藤 博基²、関根 誠²、石川 健治²、堀 勝² (1.名大院工、2.名大低温プラズマ化学研究センター)

キーワード：窒化ガリウム、原子層エッチング

Cｌ原子吸着と低エネルギーイオン照射のステップを繰り返す、窒化ガリウム（ＧａＮ）のサイクルプロセス構築には各ステップでの現象の理解が求められる。我々はＡｒイオン照射後のＧａＮ表面へのＣｌ吸着挙動をその場Ｘ線光電子分光法で調べた。Ｃｌ原子侵入深さはAｒイオンエネルギーに依存することを明らかにした。サイクルプロセスによるCｌ原子吸着は、イオン照射によるＧａ金属リッチ層の形成が大きく影響する。