[20p-N304-1~10] アトミックレイヤープロセスの最新動向

△ [20p-N304-9] SiNx の ALE におけるフッ素ラジカルの In-situ エッチング反応解析

〇中根 一也¹、ルネイ　ヘリンカス　ヨセフ フェーフィート^2,3、堤 隆嘉³、小林 伸好³、堀 勝³ (1.名大院工、2.日本エー・エス・エム、3.名大低温プラズマ科学研究センター)

キーワード：原子層エッチング、シリコンナイトライド

高精度エッチングを実現するため、ALEを始めとするサイクルプロセスが注目されている。SiNxにおいては、水素プラズマとフッ素ラジカルによるサイクルエッチングが提案されている。しかし、水素プラズマによる化学結合状態の変化や、フッ素ラジカルによるエッチング促進機構の詳細は不明である。そこで、本研究ではIn-situ表面解析手法により、ALE中のSiNx表面の評価を行い、さらなる高精度エッチングの実現可能性を示唆する。