[21a-B31-1~8] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21a-B31-6] Sn 添加 In₂O₃ 非晶質薄膜における結晶化その場観察

〇古林 寛¹、小林 信太郎²、前原 誠³、北見 尚久^1,3、酒見 俊之³、稲葉 克彦²、山本 哲也¹ (1.高知工科大、2.(株)リガク、3.住友重機械工業 (株))

キーワード：酸化インジウム、非晶質膜、結晶化

熱的に結晶化させた非晶質 In₂O₃ (a-IO) は高移動度を有するため、太陽電池電極への応
用が進んでいる。一方、a-IO の結晶化機構の研究は多く存在するものの、同一組成において成膜
条件に焦点を当てた報告は皆無である。そこで本研究では、同一蒸着源を用いて様々な成膜条件によ
り成膜した非晶質 Sn 添加 In₂O₃ (a-ITO) 膜の結晶化の動的振舞を明らかにすべく、 X 線二次元検出器
を用いたその場観察を実施した。