[21a-B31-1~8] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21a-B31-7] 反応性プラズマ蒸着法により成膜した W 添加 In₂O₃ 極薄膜における高 Hall 移動度

〇古林 寛¹、前原 誠²、北見 尚久^1,2、酒見 俊之²、山本 哲也¹ (1.高知工科大、2.住友重機械工業 (株))

キーワード：タングステン添加酸化インジウム、高移動度、極薄膜

タングステン (W) 添加 In₂O₃ (IWO) 多結晶薄膜は、従来の錫添加 In₂O₃ (ITO)と比較して高Hall 移動度 (μ_H) が得られることから太陽電池透明電極への応用が進んでいる。ただし、前記応用が要するシート抵抗の観点から、50 nm 以下の極薄領域の電気特性の報告はみられない。本研究では、非晶質膜結晶化法を用いることにより、 IWO 膜においても極薄領域 (10 nm 前後) にて高 μ_H が得られることが実証された。