[21a-E310-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [21a-E310-3] 【注目講演】Naフラックスポイントシード法により作製した大口径GaN結晶における転位の対消滅

〇今西 正幸¹、奥村 加奈子¹、中村 幸介¹、垣之内 啓介¹、北村 智子¹、村上 航介¹、吉村 政志^1,2、森 勇介¹ (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)

キーワード：Naフラックス法、GaN、転位対消滅

我々はNaフラックスポイントシード法を用いて低反りかつ低転位GaN基板を作製している。当該手法ではファセット面が顕著に出現するため、酸素不純物取り込み量が多く、格子定数が拡張することが問題であった。近年ポイントシード法にFlux film coated（FFC）法を組み合わせた新技術により、ファセット面を抑制し格子定数が均一なGaNウエハを得ることに成功した。本研究では当該手法を用い直径約80 mmの大口径GaN結晶を作製したことに加え、結晶中における転位挙動を調査した。