[21a-PA2-1~31] 6.3 Oxide electronics

△ [21a-PA2-9] Structural characterization of WO₃ films grown by MBE on a LSAT substrate

〇Ryota Nakamura¹, Mikio Mizuno¹, Kazuto Koike¹, Mitsuaki Yano¹, Katsuhiko Inaba², Shintaro Kobayashi² (1.Osaka Inst. of Tech., NMRC, 2.Rigaku Corp., X-Ray Res. Lab.)

Keywords:WO3, MBE, Structural characterization

前回我々は、MBE法で格子定数近接基板であるLSAT(100)上にWO₃薄膜を成長したところ、膜厚5nm以下でバルク値を遙かに超える高い移動度（560cm²/Vs）が得られたことを報告した。今回、膜厚5nmと50nmの試料を準備し、両者の構造を非対称面の逆格子マップ測定で比較した。膜厚5nmでは、基板に対してcubic構造やorthorhombic構造のWO₃がコヒーレント成長していることが、膜厚50nmでは、格子緩和が進行していることが明らかになった。