[21a-PA2-1~31] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [21a-PA2-9] LSAT 基板上にMBE 成長したWO₃ 薄膜の構造評価

〇中村 領太¹、水野 樹生¹、小池 一歩¹、矢野 満明¹、稲葉 克彦²、小林 信太郎² (1.大阪工大ナノ材研、2.リガクX線研究所)

キーワード：三酸化タングステン、分子線エピタキシー、構造評価

前回我々は、MBE法で格子定数近接基板であるLSAT(100)上にWO₃薄膜を成長したところ、膜厚5nm以下でバルク値を遙かに超える高い移動度（560cm²/Vs）が得られたことを報告した。今回、膜厚5nmと50nmの試料を準備し、両者の構造を非対称面の逆格子マップ測定で比較した。膜厚5nmでは、基板に対してcubic構造やorthorhombic構造のWO₃がコヒーレント成長していることが、膜厚50nmでは、格子緩和が進行していることが明らかになった。