[21p-B31-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21p-B31-6] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法による(010)面β-Ga₂O₃基板上の幅7nm超薄膜高アスペクトナノウォールアレイ

〇大江 優輝¹、川崎 祐生¹、伊藤 大智¹、森谷 祐太¹、阿部 洸希¹、木下 堅太郎¹、富樫 理恵¹、菊池 昭彦^1,2 (1.上智大・理工、2.上智大フォトニクスリサーチセンター)

キーワード：酸化ガリウム、エッチング、ナノウォール

酸化ガリウム（Ga₂O₃）は、4.5eVの大きなバンドギャップと良好な電気特性を有し、パワーデバイスを中心としたさまざまな応用が期待されている。近年ではGa₂O₃を用いた縦型トランジスタ等が報告されており、デバイス応用の多様性と性能向上に向け低損傷で高アスペクト構造を形成できるエッチング技術が重要になっている。我々は、減圧水素雰囲気中での熱分解反応を利用した水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法を提案し、b-Ga₂O₃のエッチング特性について報告した。本報告ではエッチング速度の最も遅い(100)面を用いたHEATE法による、b-Ga₂O₃の高アスペクトナノウォールアレイの作製を行ったので報告する。