[21p-E301-1~7] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21p-E301-2] β-Ga₂O₃ ショットキーバリアダイオードの電子線照射に対する耐性

〇林 家弘¹、武山 昭憲²、湯田 洋平³、綿引 達郎³、村上 尚⁴、熊谷 義直⁴、大島 武²、東脇 正高¹ (1.情通機構、2.量研、3.三菱電機、4.東京農工大院工)

キーワード：酸化ガリウム、ショットキーバリアダイオード

β-Ga₂O₃ は、その4.5 eV と非常に大きなバンドギャップエネルギーから高い放射線耐性を有す
ることが期待され、宇宙や原子力発電所などに代表される複数種の放射線が存在する環境におい
て利用される半導体デバイスの材料として有望である。本研究では、縦型β-Ga₂O₃ ショットキー
バリアダイオード (SBD) に対して、最大累積線量1×10¹⁶ cm^-2 までの電子線を段階的に照射し、
そのデバイス特性の変化から電子線照射に対する耐性を評価したので報告する。