[21p-E301-1~7] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21p-E301-5] 高出力パワーデバイス応用に向けたGaN/Diamond直接接合の作製

〇梁 剣波¹、清水 康雄²、大野 裕²、白崎 謙次²、永井 康介²、嘉数 誠³、金 聖祐⁴、Kuball Martin⁵、重川 直輝¹ (1.大阪市大院工、2.東北大金研、3.佐賀大院工、4.アダマンド並木精密、5.ブリストル大学)

キーワード：GaN、ダイヤモンド