[21p-E301-1~7] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21p-E301-7] 原子拡散接合によるGaN-on-GaN HEMT高放熱特性

〇岡本 直哉^1,2、美濃浦 優一^1,2、魚本 幸³、島津 武仁³ (1.富士通、2.富士通研究所、3.東北大学)

キーワード：GaN基板、ダイヤモンド、原子拡散接合

低転位GaN自立基板上GaN-HEMT（GaN-on-GaN HEMT）は、結晶欠陥に起因したゲートリーク電流や電流コラプスの抑制によりデバイス性能の向上が期待されている。一方で、GaN基板の熱伝導率はSiC基板より低いため、発熱によるデバイス特性の劣化も懸念される。そこで、本研究では単結晶ダイヤモンドとGaN基板を原子拡散接合法により接合し、GaN-on-GaN HEMTの高放熱特性を調べた。