[21p-E310-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[21p-E310-1] GaNの酸化膜形成2段階ウェットエッチング法における深さ方向のエッチング制御

〇清藤 泰旦¹、藤岡 洋²、前田 就彦¹ (1.東京工科大、2.東大生研)

キーワード：半導体、GaN、エッチング

我々が提案している2段階ウェットエッチング法とは，電気化学的手法を用いたGaNの陽極酸化と酸化物除去を組み合わせたエッチング方法である。この方法では，まず通電により陽極酸化がGaN層の最下部までコラム状に進行する。そして，コラム密度が高い状態で酸化物の除去を行うことで通電領域全域を一度にエッチングすることが可能である。今回我々は，2段階ウェットエッチングの次の検討として深さ方向のエッチング制御を検討した。