15:30 〜 15:45 [9p-M121-7] Mgイオン注入ドーズ量によるGaN-DIMOSFETのMOSチャネル特性制御 〇田中 亮1、高島 信也1、上野 勝典1、松山 秀昭1、江戸 雅晴1、中川 清和2 (1.富士電機、2.山梨大)