前田拓也

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発表者・著者、共著者

2019年3月9日(土) 14:00 〜 17:45 M121 (H121)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[9p-M121-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

14:00 〜 14:15

[9p-M121-1] 両側空乏ベベルメサ構造を有するGaN p-n接合ダイオードにおける
均一なアバランシェ破壊の実現および平行平板破壊電界の評価

〇前田拓也¹、成田哲生²、上田博之²、兼近将一²、上杉勉²、加地徹³、木本恒暢¹、堀田昌宏^1,3,4、須田淳^1,3,4 (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大未来材料・システム研究所、4.名大院工)

14:15 〜 14:30

[9p-M121-2] Franz-Keldysh効果を利用した光電流増倍測定による
GaNにおけるキャリアの衝突イオン化係数の推定

〇前田拓也¹、成田哲生²、上田博之²、兼近将一²、上杉勉²、加地徹³、木本恒暢¹、堀田昌宏^1,3,4、須田淳^1,3,4 (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大未来材料・システム研究所、4.名大院工)

2019年3月11日(月) 13:30 〜 15:30 PB3 (武道場)

一般セッション(ポスター講演)
| 13 半導体
| 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-PB3-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

13:30 〜 15:30

[11p-PB3-18] ベベルメサ構造GaN p-n接合ダイオードの電界分布シミュレーション

〇前田拓也¹、成田哲生²、上田博之²、兼近将一²、上杉勉²、加地徹³、木本恒暢¹、堀田昌宏^1,3,4、須田淳^1,3,4 (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大未来材料・システム研究所、4.名大院工)