一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
09:00 〜 09:15
〇(M2)笹原 悠輝1、金谷 航葵1、松久 将之1、遊馬 博明1、西尾 和記1、清水 亮太1,2、西山 宣正3、一杉 太郎1 (1.東工大物質理工、2.JSTさきがけ、3.東工大フロンティア)
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09:15 〜 09:30
〇加藤 匠秀1、竹内 航平1、王 澤樺1、田沼 涼1、杉山 睦1,2 (1.東理大 理工、2.東理大 総研)
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09:30 〜 09:45
〇吉仲 泰萌1、榎本 翔汰1、畑本 正浩1、奈良 安雄1 (1.兵庫県立大工)
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09:45 〜 10:00
〇遠藤 史也1、神吉 輝夫1、Luca Pellegrino2、Nicola Manca3、Daniele Marre2,3、田中 秀和1 (1.阪大産研、2.CNR-SPIN、3.Genova Univ.)
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10:00 〜 10:15
〇玄地 真悟1、山本 真人1、神吉 輝夫1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、田中 秀和1 (1.阪大産研、2.物材機構)
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10:30 〜 10:45
〇矢嶋 赳彬1、西村 知紀1、鳥海 明1 (1.東大マテ)
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10:45 〜 11:00
〇志賀 大亮1,2、簔原 誠人2、北村 未歩2、湯川 龍2、堀場 弘司2、組頭 広志1,2 (1.東北大多元研、2.KEK物構研)
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11:00 〜 11:15
〇山本 一理1、清水 啓佑1、重松 圭1、東 正樹1 (1.東工大フロンティア材料研)
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11:15 〜 11:30
〇(P)Yooun Heo1、Daisuke Kan1、Yuichi Shimakawa1 (1.Kyoto Univ.)
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11:30 〜 11:45
〇(M2)小林 顕斗1、菅 大介1、島川 祐一1 (1.京大化研)
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