一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
2019年3月10日(日) 13:45 〜 18:15 W641 (W641)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
13:45 〜 14:00
〇岡田 浩明1、王 澤樺1、田沼 涼1、杉山 睦1,2 (1.東理大 理工、2.東理大 総研)
スケジュール
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14:00 〜 14:15
〇奥村 英之1、濱田 海里1、小川 敬也1、石原 慶一1 (1.京大エネ科)
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14:15 〜 14:30
〇(D)相場 諒1、木口 学1、鶴岡 徹2、寺部 一弥2 (1.東工大院理、2.物材機構)
スケジュール
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14:30 〜 14:45
〇(B)小泉 凌太1、相場 諒1、金子 哲1、木口 学1 (1.東工大理)
スケジュール
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14:45 〜 15:00
〇島 久1、高橋 慎1、内藤 泰久1、秋永 広幸1 (1.産総研ナノエレクトロニクス研究部門)
スケジュール
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15:00 〜 15:15
〇河内 剛史1、加納 伸也1、藤井 稔1 (1.神戸大院工)
スケジュール
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15:15 〜 15:30
〇(M2)肥田 聡太1,2,3、森田 巧1、山崎 隆浩3、奈良 純3、大野 隆央3、木下 健太郎1 (1.東理大理、2.鳥取大工、3.物材機構)
スケジュール
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15:30 〜 15:45
〇(M2)肥田 聡太1,2,3、酒井 貴弘1、森田 巧1、山崎 隆浩3、奈良 純3、大野 隆央3、木下 健太郎1 (1.東理大理、2.鳥取大工、3.物材機構)
スケジュール
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16:00 〜 16:15
〇Ha Hoang1、Kazutaka Sasaki1、Tatsuki Hori1、Kazuhito Tsukagoshi2、Toshihide Nabatame2、Bui Nguyen Quoc Trinh3、Aikihiko Fujiwara1 (1.Kwansei Gakuin Univ.、2.NIMS、3.VNU Hanoi)
スケジュール
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16:15 〜 16:30
〇(M1)宮谷 俊輝1、西 佑介1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
スケジュール
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16:30 〜 16:45
〇(M1)宮谷 俊輝1、西 佑介1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
スケジュール
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16:45 〜 17:00
〇三宅 亮太郎1、藤平 哲也1、酒井 朗1 (1.阪大基礎工)
スケジュール
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17:00 〜 17:15
〇金上 尚毅1、西 佑介1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
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17:15 〜 17:30
〇落合 克行1,2、木下 健太郎1、金子 拓海1、上沼 睦典3、浦岡 行治3 (1.東理大理、2.鳥取大工、3.奈良先端大)
スケジュール
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17:30 〜 17:45
〇(M1)清水 敦史1,2、木下 健太郎1、中畝 悠介1、島 久2、高橋 慎2、内藤 泰久2、秋永 広幸2 (1.東理大理、2.産総研)
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17:45 〜 18:00
〇武藤 恵1、酒井 慎弥1、福地 厚1、有田 正志1、高橋 庸夫1 (1.北大院情報)
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18:00 〜 18:15
石川 竜介1、〇有馬 克紀1、福地 厚1、有田 正志1、高橋 庸夫1、工藤 昌輝2、松村 晶2 (1.北大院情報、2.九大超顕微セ)
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