[10a-70A-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[10a-70A-7] Improved characteristics of 4H-SiC(0001) MOS devices by CO₂ annealing

〇Takuji Hosoi¹, Momoe Ohsako¹, Takasyoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:SiC, CO2, MOS

ドライO₂酸化で形成したSiO₂/4H-SiC(0001)構造に対するCO₂アニールの効果を検証した。1400°C以下の温度でSiO₂増膜がないことを確認した。またCO₂アニールはヒステリシス低減や移動度向上の効果があることがわかった。