[10a-M114-1~11] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[10a-M114-6] Crystallization of a-Si Film on Panel using Lumped-shots ELA

〇Takashi Noguchi¹, Ryusuke Nakatsura¹, Yuya Ishiki¹, Tatsuya Okada¹, Karim Huet² (1.Univ. of the Ryukyus, 2.SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd.)

Keywords:ELA, Si film, Lumped-shots ELA

TFTを高いスループットでつくることが求められる。ガラス上のa-Si膜を高移動度にするため、ELA法が有効で、最近はフレキシブルなシート上にも高性能TFTが求められている。現在のELA法は、短いパルス幅（20-30ns）をもつライン状のUV光ビームが用いられているが、パルス走査時、（短軸端による）Si膜面上の不均一性が課題である。長いパルス幅(150-200ns)で大出力のELAによる小型パネルへの結晶化では一括ELAが期待され、Si薄膜結晶化の可能性を検討した。