[10a-PA3-1~10] 6.1 Ferroelectric thin films

[10a-PA3-3] Gas sensing using the change of Schottky barrier height

〇(B)Kodai Kashihara¹, Julien Schneider², Norihiro Oshime⁴, Jun Kano³ (1.Dep. of Appl. Chem. Bio., Okayama Univ., 2.INPT, 3.Grad. Sch. of Sci. Tech., Okayama Univ., 4.AIST)

Keywords:gas sensor, thin film, oxide

酸化物と金属の薄膜を接合させた構造体では、金属表面に分子ガスが化学吸着する際、金属－分子ガス間に分子軌道が形成され、金属の仕事関数の変化が期待される。これに伴い金属－酸化物界面でバンド構造の再構成が起こり、金属－酸化物界面のショットキー障壁の高さが変化する。この傾向は整流性にも反映される。一連の現象を電気測定によって捉えることでガス吸着を検知できると考え、今回はその挙動を観測できたので報告する。