[10a-PA3-1~10] 6.1 Ferroelectric thin films

[10a-PA3-7] Electrical characteristic of ZnO-FET with piezoelectric polymer film P(VDF-TrFE) for gate insulator evaluated before and after heat treatment of P(VDF-TrFE) film

〇Takuya Okayama¹, Shusaku Matsumoto¹, Akio Furukawa¹ (1.Tokyo Univ.of Science)

Keywords:ferroelectric materials, semiconductor, P(VDF-TrFE)

本研究はFETのゲート絶縁膜に圧電体材料を用いた接触センサ機能をもつデバイスの作製を目的としている。本報告では、FETのゲート絶縁膜に用いるP(VDF-TrFE)の結晶化のための熱処理前後（135℃）でFETの電流値に大きな変化が見られたので報告する