The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Oral presentation

21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[10a-S011-1~8] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Sun. Mar 10, 2019 9:00 AM - 11:15 AM S011 (South Lecture Bldg.)

Tomoki Abe(Tottori Univ.)

9:30 AM - 9:45 AM

[10a-S011-3] Control of visible light absorption by co-doping of V and N in ZnO thin film

〇(B)Kohtaroh Hoshino1, Chisato Tateyama2, Takeru Okada2, Tomoyuki Kawashima2, Katsuyoshi Washio2 (1.Sch. Eng., Tohoku Univ., 2.Grad. Sch. Eng., Tohoku Univ.)

Keywords:zinc oxide, co-doping, transparent conductive film

可視光透明太陽電池は紫外光のみを吸収して発電するため、その効率は0.4%ほどしかない。我々はこれまでに、バナジウム(V)と窒素(N)を共添加したZnO(VZON)薄膜において、亜鉛窒化物の形成による波長400 ~ 550 nm域の可視光吸収が生じることを報告した。本研究ではV添加量の制御による同波長域の光吸収制御を検討した。