[10a-S011-1~8] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[10a-S011-4] Characterization of series resistance in Pt/ Mg_xZn_1-xO/n-ZnO Schottky photodiodes

〇Haruyuki Endo¹, Kyo Takahashi¹, Yasube Kashiwaba² (1.Iwate Ind. Res. Inst., 2.Iwate Univ.)

Keywords:Schottky photodiode, MgZnO, series resistance

火炎検知器などのアプリケーションに向け、Pt/Mg_xZn_1-xO/n-ZnO ショットキーフォトダイオード型UVセンサの開発を進めてきた。前回の報告では、逆バイアス電圧を印加することで非常に高感度になることを報告したが、バイアス電圧を印加しない太陽電池モードでは電流感度が低いことが問題となった。そこで本報告では電流-電圧特性を解析し、感度低下の一因となる直列抵抗の評価を行ったので報告する。