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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[10p-S221-1~10] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

2019年3月10日(日) 13:45 〜 17:00 S221 (S221)

入沢寿史(産総研)、内田建(東大)

15:45 〜 16:00

[10p-S221-6] デュアルパワースイッチを用いた擬似不揮発性SRAMの設計と解析

〇吉田隼¹、北形大樹¹、山本修一郎¹、菅原聡¹ (1.東工大未来研)

キーワード：パワーゲーティング、SRAM