[10p-W541-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

[10p-W541-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Enhancement of luminescence of Eu-doped GaN light-emitting diodes using AlInN/GaN DBR with high reflectance and conductivity

〇Keishi Shiomi¹, Tomohiro Inaba¹, Shuhei Ichikawa¹, Jun Tatebayashi¹, Yasufumi Fujiwara¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:nitride, rare-earth, distributed bragg reflector

我々はEu添加GaN(GaN:Eu)を活性層にしたGaN系赤色LEDの作製に成功しており、これまでに分布ブラッグ反射鏡(DBR)でGaN:Euを挟んだ微小共振器構造を適用することにより電流注入下でのさらなる赤色発光強度の増大を実現した。本研究では、DBRが反射鏡として動作する条件を満たしながら設計の最適化を行うことで、赤色領域において98 %を超える高反射率・導電性DBRの作製に成功し、これを適用したGaN:Eu LEDにおいて大幅な発光強度の増大を得た。