[10p-W541-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

[10p-W541-6] Fabrication Process of InGaN Single-Mode Laser Using Periodically Slotted Structure

〇(M1)Daiki Tazuke¹, So Kusumoto¹, Akihiro Higuchi¹, Jumpei Tajima², Toshiki Hikosaka², Shinya Nunoue², Masahiro Uemukai¹, Ryuji Katayama¹ (1.Osaka Univ., 2.R&D Center, Toshiba Corp.)

Keywords:Laser, InGaN, slotted structure

400 nm帯で良好な単一モードレーザは作製が困難であることからその報告例は少ない。我々は高分解能EBリソグラフィや結晶再成長を必要としないスロットと呼ばれる幅0.5~1.0 µm程度の溝構造を周期的に形成したレーザで800 nm帯で単一モード発振に成功しており、このスロット構造は400 nm帯にも適用することが出来る。本研究では400 nm帯InGaN周期的スロット構造単一モードレーザの設計および作製プロセスの検討を行った。