[10p-W922-1~8] イオン注入技術の進展　〜Si、GaAsから最先端WBG半導体まで〜

[10p-W922-3] SiCへのイオン注入技術とデバイス応用

〇木本 恒暢¹ (1.京大工)

キーワード：半導体、SiC、イオン注入

SiCは次世代の高耐圧・低損失パワー半導体として注目されている。本報告では、SiC半導体におけるイオン注入に関する基礎技術とその物理的理解、デバイス応用の上で鍵となったポイント、および今後の課題について概説する。