[10p-W922-1~8] イオン注入技術の進展　〜Si、GaAsから最先端WBG半導体まで〜

[10p-W922-6] GaNへのイオン注入技術

〇加地 徹¹ (1.名大未来研)

キーワード：イオン注入、GaN、活性化

イオン注入技術はパワーデバイスプロセスの必須の技術であるが、GaNではまだ開発途上である。ｎ型のイオン注入はほぼ実用化のレベルにあるが、p型は大きな課題を抱えている。それは、活性化温度が高温であることに起因する、表面劣化および多量の窒素空孔欠陥の発生である。本講演では、n型イオン注入の現状および応用、またｐ型イオン注入の課題に対する最近の取り組みについて報告する。