[10p-W934-1~12] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[10p-W934-5] Scalability Study on Ferroelectric-HfO₂ Tunnel Junction Memory

〇莫 非¹、多川 友作¹、更屋 拓哉¹、平本 俊郎¹、小林 正治¹ (1.東大 生研)

キーワード：メモリ、強誘電体