[10p-W934-1~12] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[10p-W934-8] Heavy ion induced transient current of PN-Body Tied SOIFET

〇Ryota Furukawa¹, Yan Wu¹, Yoshihiro Takahashi¹ (1.Nihon Univ)

Keywords:semiconductor, radiation resistance device, device simulator

近年、提案されているBody Tie構造にpn接合を導入したPN Body Tied SOIFETの耐放射線性について検討するため、3次元デバイスシミュレータを用いて、PNBTデバイスの重イオン照射誘起電流について評価した。その結果急峻なサブスレッショルド特性の発現に必要なBody Tie端子電圧の増加と共に、PNBTデバイスの収集電荷量がBody Tieなしの従来のMOSFETよりも大きくなってしまう事を明らかにした。