[10p-W934-1~12] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

△ [10p-W934-9] Development of dynamic deterioration model of MOSFET under TID effect

〇Yuta Oshima¹, Motoki Ando¹, Kenji Hirakawa¹, Masayuki Iwase¹, Munehiro Ogasawara¹, Takashi Yoda¹, Noboru Ishihara¹, Hiroyuki Ito¹ (1.Tokyo Tech.)

Keywords:Total Ionizing Dose effect, CMOS circuit, simulation

我々は放射線に長期間晒される環境で顕著な劣化を引き起こすTIDの対策技術を検討している．本研究は，TIDによるMOSFETの特性劣化をVerilog-Aを用いてモデル化し，TIDがCMOS回路へ与える影響と対策をシミュレーションにて考察することを目的として実施した．ドライバ回路にモデルを適用することでTIDによるNMOSのリーク電流増加の影響と対策を明らかにした．