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[10p-W934-8] Heavy ion induced transient current of PN-Body Tied SOIFET
Keywords:semiconductor, radiation resistance device, device simulator
近年、提案されているBody Tie構造にpn接合を導入したPN Body Tied SOIFETの耐放射線性について検討するため、3次元デバイスシミュレータを用いて、PNBTデバイスの重イオン照射誘起電流について評価した。その結果急峻なサブスレッショルド特性の発現に必要なBody Tie端子電圧の増加と共に、PNBTデバイスの収集電荷量がBody Tieなしの従来のMOSFETよりも大きくなってしまう事を明らかにした。