The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[11a-70A-1~10] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

Mon. Mar 11, 2019 9:00 AM - 11:45 AM 70A (70th Anniversary Auditorium)

Tetsuo Hatakeyama(Toyama Pref. Univ.)

9:30 AM - 9:45 AM

[11a-70A-3] Microscopic Mechanism of Reduction in Carbon-Related Defects at a SiC/SiO2 Interface Due to Phosphorus Treatment

〇(P)Takuma Kobayashi1,2, Yu-ichiro Matsushita1, Takafumi Okuda2, Tsunenobu Kimoto2, Atsushi Oshiyama3 (1.Tokyo Tech, 2.Kyoto Univ., 3.Nagoya Univ.)

Keywords:interface defects, first-principles calculations

SiC MOSFET では、SiC/SiO2界面の高密度欠陥準位による移動度劣化が問題となっている。酸化後のP 処理(POCl3, O2, N2 の混合ガスアニール) が界面準位低減に有効であることが実験的に示されたが、そのメカニズムの理解は十分でない。本研究では、特にC 欠陥に焦点を当て、P 処理がC欠陥を低減する機構について第一原理計算により調べた結果を報告する。