[11a-70A-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [11a-70A-5] Al₂O₃/SiO₂/n型4H-SiC MOSキャパシタの高温領域におけるリーク電流の伝導機構の検討

〇田村 敦史¹、増永 昌弘²、佐藤 慎太郎²、喜多 浩之¹ (1.東大院工、2.日立研開)

キーワード：リーク電流、MOSキャパシタ、Al2O3/SiO2

高温CMOSにおける高誘電率絶縁膜の効果を検証するため、Al₂O₃/SiO₂/n型 4H-SiC MOSキャパシタの高温領域における
リーク電流の伝導機構の検討を行った。結果として、室温ではAl₂O₃の抑制効果が見られたが、一方で高温領域ではAl₂O₃由来と考えられる電流密度成分が顕在化することが観察された。