[11a-PB3-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[11a-PB3-3] スパッタエピタキシー法を用いたSiGe HEMTの製造技術と特性制御

〇青柳 耀介¹、本橋 叡¹、出蔵 恭平¹、大久保 克己¹、広瀬 信光²、笠松 章史²、松井 敏明²、須田 良幸¹、塚本 貴広³ (1.東京農工大院工、2.情報通信研究機構、3.電気通信大)

キーワード：半導体