[11a-PB4-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-PB4-14] 4H-SiC, GaNの基底面転位のm面電子線照射による挙動

〇石川 由加里^1,2、須藤 正喜²、菅原 義弘¹、姚 永昭¹、加藤 正史²、三好 実人²、江川 孝志² (1.JFCC、2.名工大)

キーワード：窒化ガリウム、基底面転位、REDG

SiCバイポーラデバイスにおいて基底面転位の拡張は順方向特性劣化を引き起こす。GaNにおいても、デバイス動作による転位構造変化の可能性を検討することは重要である。電子線励起下における4H-SiCおよびGaNの転位の挙動をCLでm面から観察した。4H-SiCではm面励起でも基底面転位は拡張し積層欠陥を生成したが、GaNでは基底面転位のすべりは確認されたものの拡張は観察されなかった。