[11a-PB4-1~18] 15.4 III-V-group nitride crystals

[11a-PB4-15] First-principles calculations of surface electronic states and field effects in GaN

〇(B)Masaki Saito¹, Takuya Sekikawa², Susumu Sasaki^3,4, Yoshiaki Ono¹ (1.Faculty of Science, Niigata Univ., 2.Graduate School of Science and Technology, Niigata Univ., 3.Faculty of Engineering, Niigata Univ., 4.AMED SENTAN)

Keywords:semiconductor, first-principles calculation

GaNにおいては，長らくの間，自発分極の存在が示唆されてきた。実験による直接観察は，前大会において初めて報告されたばかりである。今回我々は，それを受けて理論的な検討を行った。具体的には，第一原理計算ソフトウェアOpenMXを用いてGaNのバルクおよび表面の部分状態密度、エネルギーバンドを計算し、実験との比較検討を行った。当日は、計算の結果と、計算方法の詳細やGaNの発光現象に対する自発分極の寄与などについて議論する。