The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

Presentation information

Oral presentation

17 Nanocarbon Technology » 17.3 Layered materials

[11a-W521-5~10] 17.3 Layered materials

Mon. Mar 11, 2019 10:00 AM - 11:30 AM W521 (W521)

Hiroki Ago(Kyushu Univ.)

10:30 AM - 10:45 AM

[11a-W521-7] Fabrication of hafnium disulfide thin film by using metal source (2)

Takuma Ozawa1, Noriyuki Urakami1,2, Yoshio Hashimoto1,2 (1.Shinshu Univ., 2.Shinshu Univ. Inst. of Carbon)

Keywords:Transition metal dichalcogenides

二硫化ハフニウム(HfS2)は高い電子移動度(1800 cm2 V-1 s-1)とバンドギャップエネルギー(1.2 eV)
を持つ層状化合物半導体であり、低消費電力電子素子材料として期待されている。近年では
四塩化ハフニウム(HfCl4)を前駆体とした化学気相堆積(CVD)法によるHfS2の合成が報告されてい
る。本報告では高純度金属Hfと塩化ナトリウム(NaCl)の反応を利用したHfS2薄膜の合成について報告する。