[11a-W521-5~10] 17.3 Layered materials

△ [11a-W521-8] Combinatorial film deposition of Mo_1-xW_xS by co-sputtering
with applying DC bias

〇(B)Yusuke Hashimoto¹, Seiya Ishihara^1,3, Yusuke Hibino^1,3, Yuya Oyanagi¹, Kota Yamazaki¹, Atsushi Ogura¹, Hitoshi Wakabayashi² (1.Meiji Univ., 2.Tokyo Tech., 3.JSPS Research Fellow)

Keywords:Mo1-xWxS2, sputtering, Spectroscopic ellipsometry

我々は共スパッタ法を用いてMo_1-xW_xS₂の作製を試みた。共スパッタ法はRFパワーの調整で容易に原料供給量を制御することが可能である。また、基板ターゲット間距離の調整によってもW濃度を制御可能であり、多条件Mo_1-xW_xS₂同時成膜の達成が期待される。本研究では、DCバイアス印加した共スパッタ法を用いてMo_1-xW_xS₂を作製し、結晶性及びEgを評価した。