[11p-70A-1~17] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[11p-70A-1] Development of solution growth technique for p-type 4H-SiC crystals with Si-Al solvents

〇Takeshi Mitani¹, Naoyoshi Komatsu¹, Yuichiro Hayashi¹, Tomohisa Kato¹, Hajime Okumura¹ (1.AIST)

Keywords:solution growth, surface roughening, SiC

溶液法における主な結晶成長阻害要因はマクロステップ形成に伴う表面の荒れであり、この表面荒れを抑制するためには成長面内で均一な温度分布を形成する必要がある。シードホルダ構造を工夫することによって熱伝導を微調整し、Si溶媒を用いた高温溶液成長（2250℃）において、長時間に及ぶ結晶成長でも平坦な結晶成長を得ることに成功した。成長面安定性に加え、高温溶液成長を不安定化させる要因とその対策について報告する。