[11p-70A-1~17] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[11p-70A-12] Relationship between basal-plane dislocation depth and stacking fault expansion current density in forward-current degradation of 4H-SiC PiN diode

〇SHOHEI HAYASHI^1,2, Tamotsu Yamashita^1,3, Junji Senzaki¹, Koji Nakayama¹, Mayumi Morizuka¹, Yoshiyuki Yonezawa¹, Tomohisa Kato¹, Kazutoshi Kojima¹, Hajime Okumura¹ (1.AIST, 2.Toray Research Center, 3.Showa Denko)

Keywords:SiC, stacking fault, basal plane dislocation

4H-SiCバイポーラデバイスの順方向通電劣化について、これまでに我々は、エピ/基板界面より基板側で貫通刃状転位(TED)に転換した基底面転位(BPD)を起源としてシングルショックレー型積層欠陥(1SSF)が拡大することを明らかにした。本研究では、BPDのTED転換深さと1SSF拡大電流密度の関係についてTEM、SEM観察を用いて詳細に調査した。その結果、TED転換深さが深い位置にあるBPD程、高い電流密度にて1SSFが拡大することが明らかになった。